تخطي إلى المحتوى
UTP PerakGateway
Information Resource Centre
تسجيل الدخول
ثيمة
Bootstrap
Perak
اللغة
English
中文(简体)
اللغة العربية
தமிழ்
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
القنوات
Fundamental of semiconductor devices /
البحث عن المزيد من القنوات:
مواد مشابهة: Fundamental of semiconductor devices /
خيارات القناة
عرض التسجيلة
اكتشف القنوات ذات الصلة
نظرة سريعة
Solid state devices and applications /
نظرة سريعة
DEE2023 SEMICONDUCTOR DEVICES /
نظرة سريعة
SEMICONDUCTOR DEVICES DEE 2023 /
نظرة سريعة
Semiconductor device fundamentals /
نظرة سريعة
Semiconductor devices /
نظرة سريعة
Semiconductor devices /
نظرة سريعة
Prinsip Peranti Semiconductor /
نظرة سريعة
Electrical Engineering Department : DEE 2023 : SEMICONDUCTOR DEVICES /
نظرة سريعة
Semiconductor Device Fundamentals /
نظرة سريعة
Field effect devices and applications : devices for portable, low-power, and imaging systems /
نظرة سريعة
Mengkaji pengaruh tempoh operasi litar terhadap pencirian elektrik mosfet jenis N /
نظرة سريعة
Optoelectronic semiconductor devices /
نظرة سريعة
High voltage characteristics of polycrystalline silicon conductivity modulated thin film transistors /
نظرة سريعة
Semiconductors and electronic devices /
نظرة سريعة
Semiconductor Devices /
نظرة سريعة
Silicon RF power MOSFETS / c B. Jayant Baliga
نظرة سريعة
Hot carrier degradation study in PMOSFET using gated-diode drain current and charge pumping measurements /
نظرة سريعة
New observation and improvement in GIDL current of N-MOSFET's with various kinds of gate oxides under hot-carrier stress /
نظرة سريعة
Effects of low-energy back surface gettering on the properties of 1/f noise in n-channel nitrided MOSFETs /
نظرة سريعة
MOSFET substrate dopant profiling via inversion layer-to-substrate capacitance /
نظرة سريعة
Investigation of drain electric field and its role in impact ionization in SOI MOSFETs /
نظرة سريعة
The substrate doping density effect on submicron MOSFET's characteristics /
نظرة سريعة
Time dependent oxide SiO2 breakdown in MOSFET : a consequence of quantum mechanical tunneling of electrons /
نظرة سريعة
Vertical mosfet : process technology, modelling and simulation /
تحميل المزيد من المواد
موضوع: Semiconductors
خيارات القناة
عرض المواد كنتائج بحث
اكتشف القنوات ذات الصلة
نظرة سريعة
Modeling and optimizing of threshold voltage of 32nm NMOS transistor using L18Orthogonal Array Taguchi method /
نظرة سريعة
Fundamental of semiconductor devices /
نظرة سريعة
Monte carlo study of alpha (α) particles transport in nanoscale gallium arsenide semiconductor materials /
تحميل المزيد من المواد
موضوع: Transistors
خيارات القناة
عرض المواد كنتائج بحث
اكتشف القنوات ذات الصلة
نظرة سريعة
Fundamental of semiconductor devices /
تحميل المزيد من المواد
المؤلف: Norseha Ariffin
أضف المزيد من القنوات هكذا
تبديل قائمة القنوات الإضافية لـ المؤلف: Norseha Ariffin
المؤلف: Ruhaida Nural Anuar
خيارات القناة
عرض المواد كنتائج بحث
اكتشف القنوات ذات الصلة
نظرة سريعة
Fundamental of semiconductor devices /
تحميل المزيد من المواد
المؤلف: Mashitah Duralim
أضف المزيد من القنوات هكذا
تبديل قائمة القنوات الإضافية لـ المؤلف: Mashitah Duralim
المؤلف: Ruhaida Nural Anuar
خيارات القناة
عرض المواد كنتائج بحث
اكتشف القنوات ذات الصلة
نظرة سريعة
Fundamental of semiconductor devices /
تحميل المزيد من المواد
عرض التسجيلة
السابق
اكتشف القنوات ذات الصلة
التالي