Modeling and optimizing of threshold voltage of 32nm NMOS transistor using L18Orthogonal Array Taguchi method /
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்: | |
|---|---|
| மற்ற ஆசிரியர்கள்: | , |
| வடிவம்: | கட்டுரை |
| மொழி: | ஆங்கிலம் |
| பொருள்கள்: | |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|
ஒத்த வளங்கள்: Modeling and optimizing of threshold voltage of 32nm NMOS transistor using L18Orthogonal Array Taguchi method /
- Using Taguchi robust design method to develop an optimized synthesis procedure of nanocrystalline cancrinite /
- Impact of high-oxygen thermal annealing on the structural, optical and electrical properties of ZnO disc made from 20-nm ZnO nanoparticles /
- A review of TiO2 nanotube arrays for hydrogen sensing application /
- Control Factors Optimization on Threshold Voltage and Leakage Current in 22 nm NMOS Transistor Using Taguchi Method /
- Photocatalytic water splitting into H2 and O2 and charge separation mechanism on Dye Modified KTa(Zr)O3 /
- Synthesis and characterization of molybdenum catalysts supported on -AI2O3-CeO2-comppsite oxides /