تخطي إلى المحتوى
UTP PerakGateway
Information Resource Centre
تسجيل الدخول
ثيمة
Bootstrap
Perak
اللغة
English
中文(简体)
اللغة العربية
தமிழ்
كل الحقول
العنوان
المؤلف
الموضوع
رقم الاستدعاء
ردمك/تدمد
الوسم
ابحث
بحث متقدم
Modeling and optimizing of thr...
استشهد بهذا
أرسل هذا في رسالة قصيرة
أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
طباعة
تصدير التسجيلة
تصدير إلى RefWorks
تصدير إلى EndNoteWeb
تصدير إلى EndNote
أضف إلى المفضلة
رابط دائم
Modeling and optimizing of threshold voltage of 32nm NMOS transistor using L18Orthogonal Array Taguchi method /
محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:
Elgomati, Husam Ahmed
مؤلفون آخرون:
Burhanuddin Yeop Majlis
,
Ibrahim Ahmad
التنسيق:
مقال
اللغة:
الإنجليزية
الموضوعات:
Microelectronics
>
Research
>
Congresses
Semiconductors
>
Research
>
Congresses
الوسوم:
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المقتنيات
الوصف
التعليقات
مواد مشابهة
عرض للأخصائي
كن أول من يترك تعليقا!
تعليقك
يجب تسجيل دخولك أولا
مواد مشابهة
Using Taguchi robust design method to develop an optimized synthesis procedure of nanocrystalline cancrinite /
حسب: Seyed Naser Azizi
Impact of high-oxygen thermal annealing on the structural, optical and electrical properties of ZnO disc made from 20-nm ZnO nanoparticles /
حسب: Rabab Khalid
A review of TiO2 nanotube arrays for hydrogen sensing application /
حسب: Nurhidaya Soriadi
Control Factors Optimization on Threshold Voltage and Leakage Current in 22 nm NMOS Transistor Using Taguchi Method /
حسب: Afifah Maheran A. H., وآخرون
Photocatalytic water splitting into H2 and O2 and charge separation mechanism on Dye Modified KTa(Zr)O3 /
حسب: Ishihara, Tatsumi